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太陽能電池專業(yè)光譜成像及特性分析系統(tǒng)
太陽能電池是一種通過光電效應(yīng)或光化學(xué)反應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化為電能裝置。由于太陽能是一種清潔能源,因此光伏技術(shù)近年來備受關(guān)注。光伏材料的轉(zhuǎn)換效率隨著技術(shù)的發(fā)展也有了顯著的提高。例如自從2009年日本科學(xué)家Miyasaka*報道鈣鈦礦太陽能電池以來,在短短的幾年內(nèi),鈣鈦礦太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率從3.8%上升到22.7%。盡管鈣鈦礦電池?fù)碛兄T多優(yōu)點(diǎn),但是由于材料的不均一性和無法低成本大規(guī)模生產(chǎn)限制了鈣鈦礦電池的發(fā)展。為了解決這些問題,研究人員需要高性能和專業(yè)的測試工具研究材料性能的空間分布。
為了解決這些問題,加拿大Phonton 公司和法國光電能源研究和發(fā)展研究所為太陽能電池分析共同研發(fā)了高光譜成像設(shè)備(IMA™)?;?的體布拉格光柵濾波片技術(shù),采用革新的二維成像技術(shù),不同于常規(guī)的熒光成像設(shè)備,這是一款一次性可全視野成像的設(shè)備,可快速獲得鈣鈦礦電池的熒光成像和電致發(fā)光成像,用于研究產(chǎn)品的缺陷、約束條件和光電特性的。
與傳統(tǒng)的共聚焦顯微成像設(shè)備相比,高光譜成像設(shè)備擁有以下優(yōu)勢:
1) 單次整視場成像。與常規(guī)的共聚焦顯微鏡需要逐點(diǎn)掃描或逐行推掃所不同,該高光譜成像系統(tǒng)允許在顯微鏡下獲取整個視場不同波長的像。使用百萬像素相機(jī),通過濾波后圖像的采集可提供樣品表面數(shù)百萬個點(diǎn)上的光譜信息。這種成像方式將打打減小圖像采集時間,與傳統(tǒng)成像方式比較時間將減少2-3個數(shù)量級。例如,采集150´150μm2光譜信息,使用高光譜成像設(shè)備只需要大概8分鐘,但是使用常規(guī)共聚焦設(shè)備需要幾百個小時才能完成。
2) 在PL成像實(shí)驗(yàn)中該系統(tǒng)的激發(fā)光源在視野中的強(qiáng)度是均勻分布的。在傳統(tǒng)的共聚焦設(shè)備中,激發(fā)光源是聚焦在一個點(diǎn)上(~1μm2),這將導(dǎo)致載流子向沒有激光照射的區(qū)域遷移造成載流子復(fù)合,使的PL信號明顯降低,需要將激發(fā)光的功率提高到 1000個太陽的光照這與光伏材料的工作環(huán)境嚴(yán)重不符,并對結(jié)果的提取與解釋帶來諸多影響。由于高光譜成像設(shè)備的光源是均勻的照射到樣品上的,因此避免了上述情況,并且光源功率可從1-500個太陽的光照可調(diào)。
3) 可獲得光譜強(qiáng)度的定量值。PL(photoluminescence)和EL(Electroluminescence)包含了材料或器件的諸多信息,但是傳統(tǒng)熒光技術(shù)表征提供的數(shù)據(jù)單位都是arbitrary units, 這并不是一個定量的數(shù)值,這將大大限制了對光譜結(jié)果的深度挖掘。為了解決該問題,IRDEP和Photon 研發(fā)了定量校準(zhǔn)辦法,使該高光譜設(shè)備可以確定在固定能量的激發(fā)光下,樣品每個點(diǎn)發(fā)射光子的定量數(shù)值。通過這種校準(zhǔn),研究人員可進(jìn)一步探究普朗克定律,和太陽能電池的外部量子效率(EQE)和在給定電壓下電致發(fā)光的相互關(guān)系。以及Voc和飽和電流等。
如圖2 顯示了CIS樣品的光致發(fā)光圖像,其中使用的激發(fā)光波長為532nm。整視野成像可以快速探測樣品空間上不均勻性,通過該技術(shù)研究人員可以監(jiān)控不同屬性在空間上的分布。圖1,為圖2上所選區(qū)域的光譜信息。此外,通過光譜的定量校正還可以得到設(shè)備的光電特性(例如:EQE, Voc等)
我們主要利用高光譜設(shè)備探究了CIGS太陽能電池的光致發(fā)光光譜成像(532nm,激光強(qiáng)度為580個太陽輻射)和電致發(fā)光光譜成像(使用源表,Vapp = 0.95 V.)。圖1,顯示了CIGS的PL和EL光譜,并通過定量校正,結(jié)合廣義普朗克定律分別獲得了準(zhǔn)費(fèi)米能級分裂Δμeff,并利用太陽能電池和LEDS之間的相互關(guān)系,通過EL圖譜可以推到出EQE,等信息。
- 在固定能量的激發(fā)光下,樣品每個點(diǎn)發(fā)射光子的定量數(shù)值,這一功能可以是科研人員可以從PL圖像中直接獲得太陽能電池的準(zhǔn)費(fèi)米能級分裂圖Δμeff。準(zhǔn)費(fèi)米能力具有重要意義,因?yàn)樗c電池的電壓和飽和電流相關(guān)。如圖1,為GaAs的準(zhǔn)費(fèi)米能級分裂Δμeff/q 的二維圖,這是利用GaAs太陽能電池的定量光致發(fā)光圖譜根據(jù)廣義普朗克定律計(jì)算出來。測量的準(zhǔn)費(fèi)米能級分裂為Δμeff= 1.1676±0.010eV,在電接觸附近(圖1中間的垂直藍(lán)線)和電池的外部邊界附近有稍微下降。結(jié)果與之前的GaAs文獻(xiàn)中的研究結(jié)果*。
近年來,以CH3NH3PbI3為代表的具有鈣鈦礦晶型的有機(jī)金屬鹵化物在光電領(lǐng)域的應(yīng)用吸引了廣泛的研究興趣。作為一種新興的半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換材料,它具有高消光系數(shù)(105 cm-1)、長載流子壽命(~μs)、低缺陷態(tài)濃度、低激子束縛能以及可低成本溶劑制備等諸多優(yōu)點(diǎn)?;谠擃惒牧系谋∧ぬ柲茈姵?鈣鈦礦太陽能電池) 的光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)超過22%,超過了多晶硅太陽能電池,具有較好的應(yīng)用前景。同時,該材料在光電探測、發(fā)光、高能射線探測及非線性光學(xué)等方面均展現(xiàn)出良好的性能,成為光電物理、材料(器件)物理和化學(xué)等交叉領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。但是關(guān)于鈣鈦礦電池的諸多工作機(jī)制還不是很清楚,因此利用高光譜成像設(shè)備研究了CH3NH3PbI3太陽能電池的主要性能,進(jìn)行了空間和光譜分辨的EL和PL成像。EL采用源表施加的電壓范圍是1.05至1.2V,PL使用的是532nm的激光(約30個太陽輻射)。通過定量校準(zhǔn),從EL和PL光譜直接獲得了準(zhǔn)費(fèi)米能級分裂和電子傳輸效率,如下圖所示。
圖2 為鈣鈦礦材料的透射率成像
產(chǎn)品參數(shù):
AL RANGE | VIS - SWIR Model | |
VIS | SWIR | |
SPECTRAL RESOLUTION | < 2.5 nm | < 4 nm |
CAMERA | CCD, EMCCD, sCMOS | ZephIR 1.7 |
EXCITATION WAVELENGTHS | 405, 447, 532, 561, 660, 730, 785 or 808 nm | |
MICROSCOPE | Upright or Inverted; Scientific Grade | |
SPATIAL RESOLUTION | Sub-micron | |
MAXIMUM SAMPLE SIZE | 10 cm x 10 cm | |
X, Y TRAVEL RANGE | 76 mm x 52 mm | |
Z-STAGE RESOLUTION | 100 nm | |
ILLUMINATION | Diascopic, Episcopic, LED, HG, | |
WAVELENGTH ABSOLUTE ACCURACY | 0.25 nm | |
VIDEO MODE | Megapixel camera for sample visualization | |
DATA PROCESSING | Spatial filtering, statistical tools, spectrum extraction, data normalization, spectral calibration, overlay, central position map, etc. | |
HYPERSPECTRAL DATA FORMAT | HDF5, FITS | |
SINGLE IMAGE DATA FORMAT | HDF5, CSV, JPG, PNG, TIFF |