| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,食品,生物產(chǎn)業(yè),電子 |
電光Q開(kāi)關(guān)/普克爾盒
G&H是一家晶體生產(chǎn)商，擁有數(shù)十年的光電設(shè)備設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)。生產(chǎn)一系列的普克爾盒，適用于從紫外線(xiàn)到紅外線(xiàn)的各種波長(zhǎng)。平均功率、重復(fù)頻率和設(shè)計(jì)配置等因素決定了不同的設(shè)備組合。
利用專(zhuān)有的晶體生長(zhǎng)、制造和拋光技術(shù)，G&H在偏硼酸鋇(BBO)、碲化鎘(CdTe)、磷酸二氫鉀(KDP)和磷酸二氘鉀(KD*P)中制造縱向和橫向電極結(jié)構(gòu)的普克爾盒。
G&H提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的QX系列KD*P型，經(jīng)濟(jì)型IMPACT系列KD*P型普克爾盒，LightGate系列BBO型普克爾盒，IRX系列CdTe型普克爾盒，以及大口徑TX系列KD*P型普克爾盒。
KD * P普克爾盒
當(dāng)外加電壓引起電光晶體(如KD*P和BBO)的雙折射變化時(shí)，普克爾盒會(huì)改變通過(guò)它的光的偏振狀態(tài)。當(dāng)與偏振器一起使用時(shí)，這些普克爾盒可以起到光開(kāi)關(guān)或激光q開(kāi)關(guān)的作用。通常情況下，激光腔內(nèi)會(huì)加入q開(kāi)關(guān)以縮短輸出脈沖，從而產(chǎn)生峰值強(qiáng)度增強(qiáng)的光束。普克爾盒有兩種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu);橫向和縱向。
橫向普克爾盒是在電場(chǎng)垂直于光束的情況下工作的。由于光不能通過(guò)電極，這些普克爾盒通常使用不透明的金屬電極，工作電壓依賴(lài)于晶體長(zhǎng)度。G&H LiNbO3、BBO和CdTe 普克爾盒采用了這種設(shè)計(jì)。
縱向普克爾盒使電場(chǎng)與光束平行。有些設(shè)計(jì)使用透明的導(dǎo)電氧化銦錫(ITO)面電極、金屬柵極、中間有孔的金屬電極(讓光束通過(guò))，甚至是導(dǎo)電等離子體。另一種方法是將電極置于圓柱形晶體的圓筒上，靠近拋光面。這樣就可以將電極從光束路徑中移除，而且如果設(shè)計(jì)合理，也不會(huì)降低性能。G&H在其KD*P 普克爾盒的產(chǎn)品中使用了這種方法。(QX, CQX, IMPACT, TX系列普克爾盒)
BBO普克爾盒
對(duì)于高平均功率和高重復(fù)率的應(yīng)用，G&H的LightGate BBO 普克爾盒是KD*P 普克爾盒的替代品。LightGate系列BBO 普克爾盒采用雙晶體橫向電場(chǎng)幾何結(jié)構(gòu)，以極小的驅(qū)動(dòng)電壓(4毫米孔徑LightGate 4的驅(qū)動(dòng)電壓為~2.9 kV 1/ 4波電壓，@ 1064 nm)。
BBO具有較低的壓電響應(yīng)、良好的熱穩(wěn)定性和較低的吸收能力。由于BBO的壓電耦合系數(shù)較低，光開(kāi)關(guān)的重復(fù)頻率可達(dá)數(shù)百KHZ。
LightGate系列BBO 普克爾盒有多種配置，適用于不同的應(yīng)用領(lǐng)域。這些普克爾盒用于再生放大器、高脈沖重復(fù)率微加工激光器和用于材料加工和金屬退火的高平均功率激光器。
產(chǎn)品應(yīng)用
二氧化碳激光器，激光熔合，材料加工，醫(yī)療和美學(xué)激光系統(tǒng)，金屬退火，微加工，光學(xué)開(kāi)關(guān)，petawatt激光器，再生放大器。
產(chǎn)品列表
普克爾盒驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
| Product | Rise/Fall Time | Voltage Output | Repetition Rate | Application |
| Q-Drive Benchtop KD*P Pockels Cell Driver | 4-7ns | 1.5-4.5KV | 1-4.5KHZ | Laboratory Q-switching |
| R200 OEM BBO Pockels Cell Driver | 4-7ns | 0-2.5KV | 0-200KHZ,1MHZ burst mode | OEM regenerative amplifiers,Pulse selection |
| Q -Drive OEM KD*P Pockels Cell Driver | 4-7ns | 1.5-4.5KV | 1-4.5KHZ | OEM Q-switching |
| R200 System Rack Mount BBO Pockels Cell Driver | 4-7ns | 0-2.5KV | 0-200KHZ, | Lab-based laser system development,Pulse selection ,Regenerative amplifiers |
| QDP-50 OEM Q-Drive for Flash Lamp Pumped Lasers | 7-10ns | 1.2-4.0KV | 0-50KHZ | Flash-Lamp pumped lasers,OEM Q-switching |
| HVR-Drive BBO Pocels Cell driver | 10-15ns | 0-7.5KV | 0-200KHZ | OEM regenerative amplifiers,Pulse selection |
| HVR-System Rack-Mount BBO Pocels Cell driver | 10-15ns | 1.0-7.5KV | 0-200KHZ | Lab-based laser system development,Pulse selection ,Regenerative amplifiers |
普克爾盒
| Product | Wavelength | Voltage Contrast Ratio | Active Aperture | Optical Material |
| Chiron 3 BBO Pockels cell | 0.2-1.65um | >500:1@1064nm | 3.25mm | BBO |
| CdTe IRX Mid-IR Pockels Cell | 5-12um | >500:[email protected] | 3-7.4*10mm | CdTe |
| Pockels Cell Alignment for Single Pass Systems | 200-1650nm | N/A | N/A | BBO,KD*P |
| IMPACT Pockels Cell Datasheet | 300-1100nm | >2000:1@1064nm | 8-13mm | KD*P |
| QX1014A Short Path Length Pockels Cell | 300-1100nm | >450:1 | N/A | KD*P |
| QX Series Pockels Cell | 300-1200nm | varies | 9.25-19.5mm | KD*P |
| TX Pockels Cell | 300-1300nm | varies | 19.5-99mm | KD*P |
| LightGate Series BBO Pockels Cell | 300-1600nm | >1000:1@1064nm | 2.6-7mm | BBO |
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