| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 |
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| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,綜合 |
半導(dǎo)體參數(shù)分析儀RTM2-霍爾源測(cè)系統(tǒng)
昊量光電全新推出的半導(dǎo)體參數(shù)分析儀RTM2-霍爾源測(cè)系統(tǒng)。利用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀RTM2的集成開(kāi)關(guān)矩陣實(shí)現(xiàn)無(wú)限的精度和穩(wěn)定性用于片狀、霍爾和電阻張量的測(cè)量。
半導(dǎo)體參數(shù)分析儀RTM2主要功能：
半導(dǎo)體參數(shù)分析儀RTM2專(zhuān)為自動(dòng)精密測(cè)量電阻和相關(guān)量而設(shè)計(jì)。半導(dǎo)體參數(shù)分析儀RTM2將直流和交流測(cè)量與集成開(kāi)關(guān)矩陣結(jié)合在一起。
半導(dǎo)體參數(shù)分析儀RTM2具有鎖定放大器的低噪、具有萬(wàn)用表 8 位以上的動(dòng)態(tài)范圍和穩(wěn)定性，可研究 ppb 級(jí)效應(yīng)。nΩ研究變得簡(jiǎn)單。
創(chuàng)新的連接器設(shè)計(jì)允許傳統(tǒng)的 BNC 操作與被動(dòng)屏蔽或主動(dòng)防護(hù)屏蔽。這將直流阻抗上限擴(kuò)展到了 Tera-Ohm 范圍，并將交流帶寬提高了約兩個(gè)數(shù)量級(jí)，以測(cè)試MΩ器件。
半導(dǎo)體參數(shù)分析儀RTM2只需一臺(tái)設(shè)備就能自動(dòng)記錄完整的電阻張量（Rx、Ry、RH），即使是在無(wú)圖案的薄膜上。
半導(dǎo)體參數(shù)分析儀RTM2 可用于材料研究、薄膜表征以及傳感器、晶片和設(shè)備測(cè)試。在快速多路復(fù)用設(shè)置中進(jìn)行交流測(cè)試的能力，可在現(xiàn)場(chǎng)生產(chǎn)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)更嚴(yán)格的元件分選。
半導(dǎo)體參數(shù)分析儀RTM2開(kāi)關(guān)矩陣的優(yōu)點(diǎn)：
萬(wàn)用表或鎖相放大器等傳統(tǒng)精密設(shè)備依賴(lài)于與被測(cè)設(shè)備（DUT）靜態(tài)連接的四線(xiàn)電阻測(cè)量方法。這種方法不可避免地會(huì)受到來(lái)自被測(cè)設(shè)備和測(cè)量設(shè)備本身的各種干擾影響。
惠斯通電橋或平版印刷霍爾條圖案等測(cè)量安排可用于減少某些干擾的影響，但它們都依賴(lài)于實(shí)際電阻器或蝕刻圖案的精確和穩(wěn)定的對(duì)稱(chēng)性，這在實(shí)踐中是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。
相比之下，矩陣開(kāi)關(guān)可以在時(shí)域中分離干擾的影響。其中一個(gè)例子是van-der-Pauw范德堡方法，它可以精確區(qū)分縱向和橫向電阻，即使是在沒(méi)有光刻圖案的不規(guī)則形狀樣品上也是如此。
另一個(gè)例子是某些直流儀表采用的 "自動(dòng)歸零（auto-zeroing）"，以補(bǔ)償偏移漂移。但這還不夠。半導(dǎo)體參數(shù)分析儀RTM2的全矩陣切換功能及其與緊密多路交流測(cè)量的兼容性為我們帶來(lái)了無(wú)限可能。
可以對(duì)偏移和增益漂移進(jìn)行補(bǔ)償，從而實(shí)現(xiàn)無(wú)限的穩(wěn)定性。這里的 "無(wú)限 "是字面意思：可實(shí)現(xiàn)的精度不是 7、8 或 10 位數(shù)，而是您愿意等待的位數(shù)。在自己的實(shí)驗(yàn)室里進(jìn)入計(jì)量圈子吧！
還可以對(duì)整個(gè)儀器的復(fù)合非線(xiàn)性進(jìn)行補(bǔ)償。這樣就可以測(cè)試亞ppm 級(jí)的 I-V 非線(xiàn)性，從而在較低和較溫和的電流密度下看到更高階的傳輸物理。
半導(dǎo)體參數(shù)分析儀RTM2突出亮點(diǎn)
基于集成開(kāi)關(guān)矩陣的可重構(gòu)設(shè)備架構(gòu)
8 個(gè)用戶(hù)自定義端口（BNC 連接器），功能（輸入、輸出和/或參考）可自由確定
BNC 屏蔽可配置為無(wú)源接地或有源屏蔽
使用固定連接（開(kāi)爾文或霍爾幾何）進(jìn)行傳統(tǒng)的交流和直流 4 線(xiàn)測(cè)量
交替連接的交流和直流測(cè)量（電阻張量測(cè)量、范-德-波測(cè)量或電阻率測(cè)量）
同時(shí)測(cè)量薄膜縱向和橫向電阻的精確絕對(duì)值，無(wú)需光刻圖案
常用測(cè)量模式的軟件預(yù)設(shè)，可任何用戶(hù)特定的切換序列
基于 TCP 的通信，可輕松集成到任何環(huán)境中（如 Labview、C、Python）
半導(dǎo)體參數(shù)分析儀RTM2主要的優(yōu)勢(shì)：
可替代所有用于電氣特性測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備(例如鎖定放大器、SMU、DMM）
通過(guò)集成的矩陣開(kāi)關(guān)克服了靜態(tài) 4 點(diǎn)測(cè)量的局限性
提供范-德-波測(cè)量和電阻張量測(cè)量的預(yù)設(shè)值，并允許用戶(hù)進(jìn)行全面配置
無(wú)需進(jìn)行復(fù)雜的樣品制備（如平版印刷）。
可輕松連接多種不同的測(cè)量裝置（如探針臺(tái)、低溫恒溫器、真空系統(tǒng)等）
節(jié)省測(cè)量時(shí)間，提高樣品吞吐量
半導(dǎo)體參數(shù)分析儀RTM2主要的應(yīng)用領(lǐng)域
材料研究與表征
固體物理
半導(dǎo)體物理
磁性器件
柔性電子器件
自旋電子學(xué)
新型功能電子材料和器件
工業(yè)研發(fā)和晶片/設(shè)備測(cè)試
微電子設(shè)備
存儲(chǔ)器
晶體管、二極管
LED/OLED
太陽(yáng)能電池
顯示器、TCO
傳感器
半導(dǎo)體參數(shù)分析儀RTM2典型測(cè)試示例：
在標(biāo)準(zhǔn)幾何結(jié)構(gòu)（開(kāi)爾文和霍爾布局）中進(jìn)行超低噪聲、高穩(wěn)定性交流和直流 4 線(xiàn)測(cè)量
對(duì)不規(guī)則、無(wú)結(jié)構(gòu)薄膜樣品進(jìn)行范德保開(kāi)關(guān)連接 4 線(xiàn)測(cè)量
基礎(chǔ)物理學(xué)和計(jì)量學(xué)中的亞ppm 相對(duì)變化和非線(xiàn)性測(cè)量
零偏移霍爾 4 線(xiàn)測(cè)量（即使是非結(jié)構(gòu)化樣品，也能準(zhǔn)確分離縱向電阻和橫向電阻）
比率電阻測(cè)量，消除樣品和設(shè)備漂移
高驅(qū)動(dòng)諧波失真測(cè)量
脈沖和測(cè)量例程
半導(dǎo)體參數(shù)分析儀RTM2規(guī)格參數(shù)：
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關(guān)于昊量光電：
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